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Transistores ultrarrápidos de los diodos de STGWA19NC60HD GWA19NC60HD IGBT 31A 600V

STGWA19NC60HD GWA19NC60HD Ultrafast IGBT 31A 600V Diodes Transistors
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Informacion basica
Nombre de la marca: STMicroelectronics
Número de modelo: STGWA19NC60HD GWA19NC60HD
Cantidad de orden mínima: 1 pedazo
Tiempo de entrega: 2~8 días laborables
Condiciones de pago: T/T
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Marca: STMicroelectronics Certificado: /
Modelo: STGWA19NC60HD GWA19NC60HD MOQ: 1 PC
Precio: Negotiated entrega: 2~8 días laborables
Pago: T/T
Alta luz:

transistores de los diodos 600V

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STGWA19NC60HD

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GWA19NC60HD

Descripción de Prduct

 

STGWA19NC60HD GWA19NC60HD

 

STGWA19NC60HD GWA19NC60HD IGBT ultrarrápido 31 A 600 V IGBT rápido mismo con el diodo ultrarrápido

Transistores - IGBTs - sola 31 A, 600 V, IGBT muy rápido con el diodo ultrarrápido

 

Detalles del producto

 

Descripción:

Este dispositivo es un IGBT ultrarrápido.

Utiliza el proceso avanzado del poder MESH™ dando por resultado un equilibrio excelente entre el funcionamiento que cambia y el comportamiento bajo del en-estado.

 

Características

Descenso bajo del en-voltaje (VCE (se sentó))

Diodo antiparalelo de la recuperación ultrarrápida muy suave

 

Usos

■Impulsiones de alta frecuencia del motor

■SMPS y PFC en interruptor duro y topologías resonantes

 

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STGWA15H120F2 HB 1200V 15A HS TO247-3 de IGBT

 

etiqueta:

Dispositivos de semiconductor discretos H30R1602,

IRFB4310PBF,

Dispositivos de semiconductor discretos del poder de IGBT

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