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dispositivos de semiconductor discretos de 900V 6A 06N90E FMV06N90E FMH06N90E

900V 6A Discrete Semiconductor Devices 06N90E FMV06N90E FMH06N90E
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Informacion basica
Nombre de la marca: INFINEON
Número de modelo: IRF1404PBF IRF1404ZPBF
Cantidad de orden mínima: 1 pedazo
Tiempo de entrega: 2~8 días laborables
Condiciones de pago: T/T
Mejor precio Contactar ahora
Marca: Infineon Certificado: /
Modelo: IRF1404PBF IRF1404ZPBF MOQ: 1 PC
Precio: Negotiated Entrega: 2~8 días laborables
Pago: T/T
Alta luz:

Dispositivos de semiconductor discretos 06N90E

,

Dispositivos de semiconductor discretos de FMV06N90E

,

FMH06N90E

Descripción de producto

 

Semiconductores discretos 900V 6A de 06N90E FMV06N90E FMH06N90E

 

Solo MOSFET del poder del canal N de IRF1404 IRF1404PBF IRF1404Z IRF1404ZPBF 40V en un paquete TO-220

Sobre IRF1404PBF:

 

Resumen de características
Solo MOSFET del poder del canal N de IRF1404 40V en un paquete TO-220
Estructura de célula planar para SOA ancho
Optimizado para la disponibilidad más amplia de socios de la distribución
Calificación del producto según estándar de JEDEC
Paquete del poder del superficie-soporte del estándar industrial
Grado de gran intensidad

 

Ventajas:

Aspereza creciente
Compatibilidad del proveedor múltiple
Nivel de la calificación del estándar industrial
El pinout estándar permite descenso en el reemplazo
Capacidad que lleva de gran intensidad

Especificaciones técnicas del producto

Parametrics IRF1404
Identificación (@25°C) máximo 202 A
Montaje THT
Ptot máximo 200 W
Paquete TO-220
Polaridad N
QG (tipo @10V) 131 nC
Qgd 42 nC
RDS (encendido) (@10V) máximo mΩ 4
RthJC máximo 0,75 K/W
Características especiales SOA ancho
Tj máximo °C 175
VDS máximo 40 V
Minuto de VGS (th) máximo 3 V 2 V 4 V
VGS máximo 20 V

 

etiqueta:

Dispositivos de semiconductor discretos H30R1602,

IRFB4310PBF,

Dispositivos de semiconductor discretos del poder de IGBT

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