China Chip CI electrónico fabricante

El mejor servicio, el mejor microprocesador

La adquisición todo en uno más grande de China de componentes

Spanish
Pida una cita
Productos

Alto voltaje discreto de los dispositivos de semiconductor de IGBT IXGH24N170 IXYS IXGH24

IGBT Discrete Semiconductor Devices IXGH24N170 IXYS IXGH24 High Voltage
IGBT Discrete Semiconductor Devices IXGH24N170 IXYS IXGH24 High Voltage IGBT Discrete Semiconductor Devices IXGH24N170 IXYS IXGH24 High Voltage IGBT Discrete Semiconductor Devices IXGH24N170 IXYS IXGH24 High Voltage IGBT Discrete Semiconductor Devices IXGH24N170 IXYS IXGH24 High Voltage IGBT Discrete Semiconductor Devices IXGH24N170 IXYS IXGH24 High Voltage IGBT Discrete Semiconductor Devices IXGH24N170 IXYS IXGH24 High Voltage
Informacion basica
Nombre de la marca: IXYS
Número de modelo: IXGH24N170
Cantidad de orden mínima: 1 pedazo
Tiempo de entrega: 2~8 días laborables
Condiciones de pago: T/T
Mejor precio Contactar ahora
Marca: IXYS Certificado: /
Modelo: IXGH24N170 MOQ: 1 PC
Precio: Negotiated Entrega: 2~8 días laborables
Pago: T/T
Alta luz:

Dispositivos de semiconductor discretos IXGH24

,

Dispositivos de semiconductor discretos de IGBT

,

IXGH24N170

Descripción de producto

 

Productos desemiconductordiscretos de alto voltaje de IXGH24N170 IXYS IGBT IXGH24IGBT1700V50A250WTO247AD

 

Especificación: IGBT de alto voltaje NPT 1700 V 50 A 250 W a través del agujero TO-247AD

Número de parte IXGH24N170
Categoría
Productos de semiconductor discretos
　
Transistores - IGBTs - solos
Mfr
IXYS
Serie
-
Paquete
Tubo
Situación de la parte
Activo
Tipo de IGBT
NPT
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima)
1700 V
Actual - colector (Ic) (máximo)
50 A
Actual - colector pulsado (Icm)
150 A
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic
3.3V @ 15V, 24A
Poder - máximo
250 W
Energía que cambia
8mJ (apagado)
Tipo entrado
Estándar
Carga de la puerta
106 nC
TD (con./desc.) @ 25°C
42ns/200ns
Condición de prueba
1360V, 50A, 5Ohm, 15V
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo
A través del agujero
Paquete/caso
TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247AD
Número bajo del producto
IXGH24
Número de parte IXGH24N170 IXGT24N170
Número de parte bajo IXGH24
UE RoHS Obediente con la exención
ECCN (LOS E.E.U.U.) EAR99
Situación de la parte Activo
HTS 8541.29.00.95

 

Características
Paquetes estándar internacionales
JEDEC TO-268 y
ANUNCIO DE JEDEC TO-247
 
Capacidad de dirección de gran intensidad
Excitamiento de MOS Gate
- simplicidad de la impulsión
Estructura rugosa del NPT
Los epóxidos que moldean resuelven UL 94V-0
 
clasificación de la inflamabilidad
Usos
Descarga del condensador y circuitos impulsores
Control de velocidad de motor de CA
Impulsiones del servo y del robot de DC
Interruptores de DC
Sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS)
fuentes del Cambiar-modo y de alimentación del resonante-modo
 
Ventajas
Densidad de poder más elevado
Conveniente para el montaje superficial
Fácil montar con 1 tornillo, (agujero aislado del tornillo de montaje)

 

Clasificaciones ambientales y de la exportación
CUALIDAD DESCRIPCIÓN
Situación de RoHS ROHS3 obediente
Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Situación del ALCANCE ALCANCE inafectado
ECCN EAR99
HTSUS

8541.29.0095

 

etiqueta:

Dispositivos de semiconductor discretos H30R1602,

IRFB4310PBF,

Dispositivos de semiconductor discretos del poder de IGBT

Contacto
Más Dispositivos de semiconductor discretos
China Bueno Calidad Chip CI electrónico Proveedor. © 2022 - 2023 topfastchip.com. All Rights Reserved.