Mosfets discretos del poder de los dispositivos de semiconductor del transistor del canal N SIHF10N40D-E3

Name: Mosfets discretos del poder de los dispositivos de semiconductor del transistor del canal N SIHF10N40D-E3
Brand: Vishay Semiconductor
SKU: SIHF10N40D-E3
Price: 1 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (175 reviews)

N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets

Informacion basica

Nombre de la marca:	Vishay Semiconductor
Número de modelo:	SIHF10N40D-E3

Cantidad de orden mínima:	1 pedazo
Tiempo de entrega:	2~8 días laborables
Condiciones de pago:	T/T

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Marca:	Semiconductor de Vishay	Certificado:	/
Modelo:	SIHF10N40D-E3	MOQ:	1 PC
Precio:	Negotiated	Entrega:	2~8 días laborables
Pago:	T/T
Alta luz:	Dispositivos de semiconductor discretos del canal N , Dispositivos de semiconductor discretos EAR99 , SIHF10N40D-E3

Especificaciones técnicas del producto

Mosfets discretos del poder de los semiconductores SIHF10N40D-E3 del transistor del canal N

UE RoHS	Obediente
ECCN (LOS E.E.U.U.)	EAR99
Situación de la parte	Activo
HTS	8541.29.00.95
Automotriz	No
PPAP	No
Categoría de producto	MOSFET del poder
Configuración	Solo
Modo del canal	Aumento
Tipo de canal	N
Número de elementos por microprocesador	1
Voltaje máximo de la fuente del dren (v)	400
Voltaje de fuente de puerta máximo (v)	±30
Voltaje máximo del umbral de la puerta (v)	5
Dren continuo máximo (a) actual	10
Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA)	100
IDSS máximo (UA)	1
Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm)	600@10V
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta	15@10V
Carga típica @ 10V (nC) de la puerta	15
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF)	526@100V
Disipación de poder máxima (mW)	33000
Tiempo de caída típico (ns)	14
Tiempo de subida típico (ns)	18
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns)	18
Tiempo de retraso de abertura típico (ns)	12
Temperatura de funcionamiento mínima (°C)	-55
Temperatura de funcionamiento máximo (°C)	150
Paquete del proveedor	TO-220FP
Pin Count	3
Nombre del paquete estándar	TO-220
Montaje	A través del agujero
Altura del paquete	16,12 (máximo)
Longitud del paquete	10,63 (máximo)
Anchura del paquete	4,83 (máximo)
El PWB cambió	3
Etiqueta	Etiqueta
Forma de la ventaja	A través del agujero

Número de parte	SIHF10N40D-E3
Número de parte bajo	SIHF10N40
UE RoHS	Obediente con la exención
ECCN (LOS E.E.U.U.)	EAR99
Situación de la parte	Activo
HTS	8541.29.00.95