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IRF1404ZPBF Transistor de canal N 180A 200W HEXFET FET MOSFET

IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET
IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET
Informacion basica
Nombre de la marca: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
Número de modelo: IRF1404ZPBF
Cantidad de orden mínima: 1 pedazo
Tiempo de entrega: 2~8 días laborables
Condiciones de pago: T/T
Mejor precio Contactar ahora
Marca: Infineon Technologies/rectificador internacional IOR Certificado: /
Modelo: IRF1404ZPBF MOQ: 1 PC
Precio: Negotiated Entrega: 2~8 días laborables
Pago: T/T
Alta luz:

transistor del canal N 200W

,

transistor del canal N 180A

,

IRF1404ZPBF

Descripción de producto

MOSFET del FET del transistor 180A 200W HEXFET del canal N de IRF1404ZPBF

 

Canal N 180A 200W de los transistores de IRF1404ZPBF a través de los MOSFETs de los FETs del agujero TO-220AB HEXFET

 

Canal N 180A (Tc) 200W (Tc) con la especificación del agujero TO-220AB:

Categoría
Productos de semiconductor discretos
　
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Mfr
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Paquete
Tubo
Tipo del FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
40 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
180A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
3.7mOhm @ 75A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
4340 PF @ 25 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo
A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220AB
Paquete/caso
TO-220-3
Número bajo del producto
IRF1404

 

Descripción

Este MOSFET del poder de HEXFET® utiliza las últimas técnicas de proceso para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio.

Las características adicionales de este producto son una temperatura de funcionamiento del empalme 175°C, velocidad rápidamente que cambia y grado repetidor mejorado de la avalancha. Estas características combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.

etiqueta:

Dispositivos de semiconductor discretos H30R1602,

IRFB4310PBF,

Dispositivos de semiconductor discretos del poder de IGBT

Contacto
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