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Canal N 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF del MOSFET del poder de Infineon HEXFET

Infineon HEXFET Power MOSFET N Channel 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF
Infineon HEXFET Power MOSFET N Channel 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF Infineon HEXFET Power MOSFET N Channel 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF Infineon HEXFET Power MOSFET N Channel 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF Infineon HEXFET Power MOSFET N Channel 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF Infineon HEXFET Power MOSFET N Channel 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF Infineon HEXFET Power MOSFET N Channel 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF
Informacion basica
Nombre de la marca: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
Número de modelo: IRLR3915TRPBF
Cantidad de orden mínima: 1 pedazo
Tiempo de entrega: 2~8 días laborables
Condiciones de pago: T/T
Mejor precio Contactar ahora
Marca: Infineon Technologies/rectificador internacional IOR Certificado: /
Modelo: IRLR3915TRPBF MOQ: 1 PC
Precio: Negotiated Entrega: 2~8 días laborables
Pago: T/T
Alta luz:

MOSFET del poder de Infineon HEXFET

,

Canal N del MOSFET del poder de HEXFET

,

IRLR3915TRPBF

Descripción de producto

 

Canal N 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF del MOSFET del poder de Infineon HEXFET

 

IRLR3915TRPBF Infineon Technologies/productos de semiconductor discretos internacionales del canal N 55V 30A DPAK del MOSFET del rectificador IOR HEXFET

 

Soporte D-Pak de la superficie 120W (Tc) del canal N 55 V 30A (Tc)

 

Descripción

Este MOSFET del poder de HEXFET® utiliza las últimas técnicas de proceso para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio.

Las características adicionales de este producto son una temperatura de funcionamiento del empalme 175°C, velocidad rápidamente que cambia y grado repetidor mejorado de la avalancha. Estas características combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.

 

Características:

Avalancha repetidor que cambia rápida ultrabaja avanzada de la temperatura de funcionamiento de la En-resistencia 175°C de la tecnología de proceso permitida hasta el pasto de Tjmax D-Pak IRLR3915PbF Yo-Pak IRLU3915PbF

Especificaciones técnicas del producto

 

Número de parte IRLR3915TRPBF
Número de parte bajo IRLR3915
UE RoHS Obediente con la exención
ECCN (LOS E.E.U.U.) EAR99
Situación de la parte Activo
HTS 8541.29.00.95
Categoría
Productos de semiconductor discretos
　
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Mfr
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Paquete
Cinta y carrete (TR)
Situación de la parte
Activo
Tipo del FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
55 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
30A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
14mOhm @ 30A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±16V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
1870 PF @ 25 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
120W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo
Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor
D-Pak
Paquete/caso
TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63
Número bajo del producto
IRLR3915
 

etiqueta:

Dispositivos de semiconductor discretos H30R1602,

IRFB4310PBF,

Dispositivos de semiconductor discretos del poder de IGBT

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